Séminaire le mardi 20 mars 2012 à 10h30

 Comprendre la transition résistive dans les Isolants de Mott AM4X8 : synthèses et caractérisations multi-physiques

Vincent GUIOT (lnstitut des Matériaux Jean Rouxel (IMN))

Salle de Conférence (401), 4ème étage, Tour 23, Couloir 22-23

IMPMC, Université P. et M. Curie, 4, Place Jussieu, 75005 Paris


Les isolants de Mott, et les matériaux corrélés en général, présentent de nombreuses propriétés physiques extraordinaires (supraconductivité haute température, magnétorésistance colossale). Ces propriétés sont généralement contrôlées par le dopage électronique ou la pression. Une autre méthode, ouvrant la voie à des applications dans des dispositifs électroniques, serait le contrôle par champ électrique. Dans ce contexte, un phénomène original de transition résistive sous champ électrique dans la famille de composés Isolants de Mott AM4X8 (A=Ga,Ge ; M=V,Nb,Ta ; X = S,Se,Te) a récemment été mis en évidence.
Dans cet exposé, sur la base de synthèses inorganiques et de caractérisations diverses (diffraction RX avec/sans pression, transport, spectroscopies IR, calculs DFT, microscopies et STM/STS), un premier mécanisme est proposé pour cette transition .