Zoom Science - La pression pour contrôler le dopage électronique - Janvier 2017

Le contrôle du dopage dans les semi-conducteurs est à la base du fonctionnement des dispositifs électroniques actuels, constitués de structures hybrides MOS (métal, oxyde, semi-conducteur). L’évolution de ces structures est cependant limitée par le choix restreint des matériaux compatibles avec le silicium. Récemment, il y a eu un fort intérêt pour des matériaux alternatifs comme les dichalcogénures bidimensionnels A_xMX₂ (M = métal de transition; X = S or Se), où le dopage est réalisé par l’insertion d’un donneur de charge A inséré entre les feuillets constitutifs du matériau. Or, les méthodes d’insertion traditionnelles à pression ambiante ne permettent de faire varier le taux de dopage x que dans une gamme limitée et ceci seulement pour quelques composés comme TiSe₂ et MoS₂. Des membres de l’équipe « Design et Etude de nouveaux MAtériaux à propriétés remarquables » (DEMARE) de l’IMPMC, viennent de franchir une nouvelle étape en utilisant la haute pression pour contrôler x dans une gamme importante, en stabilisant des phases métalliques ou semi-conductrices instables à pression ambiante.

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Référence

"High-Pressure Control of Vanadium Self-Intercalation and Enhanced Metallic Properties in 1T-V_1+xS₂ Single Crystals"
H. Moutaabbid, Y. Le Godec, D. Taverna, B. Baptiste, Y. Klein, G. Loupias and A. Gauzzi
Inorganic Chemistry 55, 6481−6486 (2016).

 
Contacts

Hicham Moutaabbid l Equipe Design et Etude de nouveaux MAtériaux à propriétés remarquables l IMPMC l Hicham.Moutaabbid @ impmc.upmc.fr (Hicham.Moutaabbid @ impmc.upmc.fr)

Andrea Gauzzi l Equipe Design et Etude de nouveaux MAtériaux à propriétés remarquables l IMPMC l andrea.gauzzi @ impmc.upmc.fr (andrea.gauzzi @ impmc.upmc.fr)